濺射靶材ITO靶材的生產工藝?ITO靶材的生產工藝可以分為3種:熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下:
熱等靜壓法:ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好,尾氣收受系統哪家好,但設備投入高,生產成本高,產品的缺氧率高。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,尾氣收受系統,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,尾氣收受系統價格,氮化硼靶,氮化鈦靶,尾氣收受系統報價,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
導電輥包括導電輥的外層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成、內層由離子導電性聚合物的組合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成的雙層導電輥,以及與上述相反的外層由離子導電性聚合物賦予導電性的導電層以外的橡膠等構成、內層由至少部分導電性由離子導電性聚合物的組合物賦予的導電性橡膠組合物構成的雙層導電輥。
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